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标题: mos管可不可以完全替代晶体三极管？三极管，mos管，IGBT各有什么特点？已解答。 [打印本页]

作者: jianhong_wu 时间: 2016-4-24 10:47
标题: mos管可不可以完全替代晶体三极管？三极管，mos管，IGBT各有什么特点？已解答。
小明-陕西：
mos管可不可以完全替代晶体三极管？三极管，mos管，IGBT各有什么特点？

★东游取经-深圳：
M O S与三极管各有优势。三极管主要作放大电路，在信号处理放大场合的电路中应用主要还是三极管和运放，因为它开关速度很高，但是它损耗大，驱动电流大，这使它慢慢退出大功率器件圈子。现在高温硅器件都有了，功率应用还是以MOS与I G B T居多，刚才有人说三极管与M O S组合，其实就是I G BT。
I G B T也有单管与模块之分，一般应用驱动频率最好不要超过55K。发两颗单管I G BT看看，左边美格纳，右边国产斯达。

sun-江苏：

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